Как подобрать аналог транзистора

Как подобрать замену для биполярного транзистора

как подобрать аналог транзистора

Существует большое количество биполярных транзисторов и большинство из них имеет много аналогов, схожих по своим параметрам, так что подбор замены обычно не вызывает затруднений. Конечно, замена сгоревшего транзистора на такой же, это лучший вариант, но если достать его не удается, подобрать аналог не составит труда. Для этого необходимо:

  1. Узнать наименование транзистора. Если это СМД устройство — расшифровать его кодировку в разделе СМД-коды

    Источник: https://alltransistors.com/ru/kak_vibrat_zameny_dlya_tranzistora.php

    AMD создала «самые производительные» серверные процессоры в мире. Они дешевле аналогов Intel

    как подобрать аналог транзистора
    2513

    Техника

    15.04.2020, Ср, 10:16, Мск , Эльяс Касми

    AMD разработала новые серверные процессоры Epyc линейки Rome 7Fx2, в которых радикально повысила тактовую частоту и объем кэш-памяти. Это позволило добиться более высокой производительности на фоне ближайших конкурентов Intel Xeon и обойти их не только по основным возможностям, но также по оснащенности современными технологиями. К тому же, новые чипы AMD оказались заметно дешевле Intel.

    Компания AMD провела анонс новых серверных процессоров Epyc Rome 7Fx2, заявив, что они обладают самой высокой производительностью на одно ядро среди всех существующих серверных чипов на архитектуре x86. Такого результата, пишет Tom’s Hardware, AMD смогла добиться повышением базовой частоты процессоров на 500 МГц (0,5 ГГц) и наращиванием объема кэша третьего уровня. Новые чипы ориентированы на дата-центры, работу с базами данных и на HPC (high-performance computing).

    Серия Epyc Rome 7Fx2 состоит из трех процессоров 7F32, 7F52 и 7F72 с восемью, 16 и 24 ядрами соответственно и построенных на архитектуре Zen 2. Все трио базируется на 7-нанометровом техпроцессе – производством чипов AMD занимается компания TSMC, которая, как сообщал CNews, еще не успела запустить 5-нанометровое производство.

    В новых Epyc AMD сделала ставку на тактовую частоту и кэш, пожертвовав TDP

    Повышение базовой частоты процессоров привело не только к росту их производительности, но и к повышению уровня тепловыделения (TDP) – если у младшей восьмиядерной модели этот параметр составляет 180 Вт, то у двух других он достигает 240 Вт.

    Интерес к новым процессорам AMD, пишет ZDNet, проявили компании Dell EMC, HPE, Lenovo и Nutanix. К ним также присоединились компания Supermicro, анонсировавшая линейку blade-серверов на базе этих чипов, и IBM, готовящая серверы на их основе для своего облачного сервиса IBM Cloud.

    Характеристики и цены новых процессоров

    Все три новинки AMD поддерживают многопоточную обработку данных – на каждое ядро может поступать до двух потоков информации. Каждый процессор способен работать с оперативной памятью DDR4 3200 МГц объемом до 4 терабайтов и имеет по 128 линий PCI-E 4.0. Объем кэш-памяти на каждое ядро составляет 16 МБ в процессорах 7F32 и 7F52 стоимостью $2100 и $3100 соответственно и 8 МБ в модели 7F72, оцененной AMD в $2450.

    Спецификации AMD Epyc Rome F7x2

    Процессор Ядра/потоки TDP (Вт) Тактовая частота, ГГц Кэш-память L3, МБ Кэш-память L3 на одно ядро, МБ Стоимость, $
    Epyc Rome 7F32 8/16 180 3,7 — 3,9 128 16 2 100
    Epyc Rome 7F52 16/32 240 3,5 — 3,9 256 16 3 100
    Epyc Rome 7F72 24/48 240 3,2 — 3,7 192 8 2 450

    Сравнение с процессорами Intel

    Ресурс Tom’s Hardware сравнил новые чипы AMD с моделями Intel Xeon, обладающими схожими спецификациями. По большинству параметров решения AMD опережают Intel, уступая им лишь по уровню тепловыделения.

    К примеру, процессор AMD Epyc Rome 7F72 был сравнен с Intel Xeon Gold 6248R. Последний выигрывает только за счет более высокой топовой частоты (4 ГГц против 3,7 ГГц у AMD) и низкого TDP (205 Вт против 240 Вт), но стоимость его при этом выше – $2700. Кроме того, Xeon обладает существенно меньшим объемом кэша L3 – 35,75 МБ против 192 МБ у AMD.

    AMD не сомневается в превосходстве новых Epyc над Xeon

    Конкурент AMD Epyc Rome 7F52 – это Intel Xeon Gold 6246R. Как и первом случае, здесь выше пиковая частота (4,1 ГГц), ниже TDP (205 Вт), меньше кэша (35,75 МБ) и выше цена ($3286).

    У Epyc Rome 7F32 в линейке Intel обнаружилось два соперника. Первый – это Xeon Gold 6250 с более высокими частотами (3,9-4,5 ГГц). Данная модель характеризуется TDP 185 Вт (выше, чем у Epyc), и ценой на уровне $3400. Объем кэша L3 – 35,75 МБ.

    Сравнение серверных чипов Intel и AMD. Нажмите для увеличения

    Второй процессор – это Xeon Gold 6244. Проигрывая Epyc Rome 7F32 по объему кэш-памяти (24,75 МБ) и стоимости ($2925), он опережает его по более высокой пиковой частоте (4,4 ГГц) и более низкому TDP (150 Вт).

    Младший 8-ядерный процессор, по статистике AMD, демонстрирует на 17% более высокую производительность на серверах SQL и более на 47% более высокий результат в бенчмарке VMmark 3.1 по сравнению с ближайшими аналогами Intel. Помимо этого в обычных приложениях его производительность выше на 94%. Сравнение старших моделей с чипами Intel AMD не приводит.

    У новых процессоров Epyc, помимо более высокой (по заявлению самой AMD) производительности и более низкой цены, есть еще несколько конкурентных преимуществ.

    К примеру, новые Epyc имеют по восемь каналов памяти, тогда как у чипов Intel их шесть, к тому же, они работают с более скоростной оперативной памятью – 3200 МГц против 2933 МГц у Intel.

    В дополнение к этому процессоры Intel поддерживают до 2 ТБ RAM против 4 ТБ у AMD и обладают 48 линиями PCI-E 3.0, тогда как AMD располагают 128 линиями PCI-E 4.0.

    • Короткая ссылка

    Источник: https://www.cnews.ru/news/top/2020-04-15_sozdany_samye_proizvoditelnye

    Параметры MOSFET транзисторов

    как подобрать аналог транзистора

    Радиоэлектроника для начинающих

    Технологические возможности и успехи в разработке мощных полевых транзисторов привели к тому, что в настоящее время не составляет особого труда приобрести их за приемлемую цену.

    В связи с этим возрос интерес радиолюбителей к применению таких MOSFET транзисторов в своих электронных самоделках и проектах.

    Стоит отметить тот факт, что MOSFET'ы существенно отличаются от своих биполярных собратьев, как по параметрам, так и своему устройству.

    Пришло время ближе познакомиться с устройством и параметрами мощных MOSFET транзисторов, чтобы в случае необходимости более осознанно подобрать аналог для конкретного экземпляра, а также иметь возможность понимать суть тех или иных величин, указанных в даташите.

    Что такое HEXFET транзистор?

    В семействе полевых транзисторов есть отдельная группа мощных полупроводниковых приборов называемых HEXFET. Их принцип работы основан на весьма оригинальном техническом решении. Их структура представляет собой несколько тысяч МОП ячеек включенных параллельно.

    Ячеистые структуры образуют шестиугольник. Из-за шестиугольной или по-другому гексагональной структуры данный тип мощных МОП-транзисторов и называют HEXFET. Первые три буквы этой аббревиатуры взяты от английского слова hexagonal – «гексагональный».

    Под многократным увеличением кристалл мощного HEXFET транзистора выглядит вот так.

    Как видим, он имеет шестиугольную структуру.

    Получается, что мощный MOSFET, по сути представляет собой эдакую супер-микросхему, в которой объединены тысячи отдельных простейших полевых транзисторов. В совокупности они создают один мощный транзистор, который может пропускать через себя большой ток и при этом практически не оказывать значительного сопротивления.

    Благодаря особой структуре и технологии изготовления HEXFET, сопротивление их канала RDS(on) удалось заметно снизить. Это позволило решить проблему коммутации токов в несколько десятков ампер при напряжении до 1000 вольт.

    Вот только небольшая область применения мощных HEXFET транзисторов:

    • Схемы коммутации электропитания.
    • Зарядные устройства.
    • Системы управления электродвигателями.
    • Усилители низкой частоты.
    • Ключи для управления мощными нагрузками.

    Несмотря на то, что мосфеты, изготовленные по технологии HEXFET (параллельных каналов) обладают сравнительно небольшим сопротивлением открытого канала, сфера применения их ограничена, и они применяются в основном в высокочастотных сильноточных схемах. В высоковольтной силовой электронике предпочтение порой отдают схемам на основе IGBT.

    Транзисторы HEXFET марки IRLZ44ZS

    Изображение MOSFET транзистора на принципиальной электрической схеме (N-канальный МОП).

    Как и биполярные транзисторы, полевые структуры могут быть прямой проводимости или обратной. То есть с P-каналом или N-каналом. Выводы обозначаются следующим образом:

    • D-drain (сток);
    • S-source (исток);
    • G-gate (затвор).

    О том, как обозначаются полевые транзисторы разных типов на принципиальных схемах можно узнать на этой странице.

    Основные параметры полевых транзисторов

    Вся совокупность параметров MOSFET может потребоваться только разработчикам сложной электронной аппаратуры и в даташите (справочном листе), как правило, не указывается. Достаточно знать основные параметры:

    • VDSS (Drain-to-Source Voltage) – напряжение между стоком и истоком. Это, как правило, напряжение питания вашей схемы. При подборе транзистора всегда необходимо помнить о 20% запасе.
    • ID (Continuous Drain Current) – ток стока или непрерывный ток стока. Всегда указывается при постоянной величине напряжения затвор-исток (например, VGS=10V). В даташите, как правило, указывается максимально возможный ток.
    • RDS(on) (Static Drain-to-Source On-Resistance) – сопротивление сток-исток открытого канала. При увеличении температуры кристалла сопротивление открытого канала увеличивается. Это легко увидеть на графике, взятом из даташита одного из мощных HEXFET транзисторов. Чем меньше сопротивление открытого канала (RDS(on)), тем лучше мосфет. Он меньше греется.
    • PD (Power Dissipation) – мощность транзистора в ваттах. По-иному этот параметр ещё называют мощностью рассеяния. В даташите на конкретное изделие величина данного параметра указывается для определённой температуры кристалла.
    • VGS (Gate-to-Source Voltage) – напряжение насыщения затвор-исток. Это напряжение, при превышении которого увеличения тока через канал не происходит. По сути, это максимальное напряжение между затвором и истоком.
    • VGS(th) (Gate Threshold Voltage) – пороговое напряжение включения транзистора. Это напряжение, при котором происходит открытие проводящего канала и он начинает пропускать ток между выводами истока и стока. Если между выводами затвора и истока приложить напряжение меньше VGS(th), то транзистор будет закрыт.

    На графике видно, как уменьшается пороговое напряжение VGS(th) при увеличении температуры кристалла транзистора. При температуре 1750C оно составляет около 1 вольта, а при температуре 00C около 2,4 вольт. Поэтому в даташите, как правило, указывается минимальное (min.) и максимальное (max.) пороговое напряжение.

    Рассмотрим основные параметры мощного полевого HEXFET-транзистора на примере IRLZ44ZS фирмы International Rectifier. Несмотря на впечатляющие характеристики, он имеет малогабаритный корпус D2PAK для поверхностного монтажа. Глянем в datasheet и оценим параметры этого изделия.

    • Предельное напряжение сток-исток (VDSS): 55 Вольт.
    • Максимальный ток стока (ID): 51 Ампер.
    • Предельное напряжение затвор-исток (VGS): 16 Вольт.
    • Сопротивление сток-исток открытого канала (RDS(on)): 13,5 мОм.
    • Максимальная мощность (PD): 80 Ватт.

    Сопротивление открытого канала IRLZ44ZS составляет всего лишь 13,5 миллиОм (0,0135 Ом)!

    Взглянем на «кусочек» из таблицы, где указаны максимальные параметры.

    Хорошо видно, как при неизменном напряжении на затворе, но при повышении температуры уменьшается ток (с 51A (при t=250C) до 36А (при t=1000С)). Мощность при температуре корпуса 250С равна 80 Ваттам. Так же указаны некоторые параметры в импульсном режиме.

    Транзисторы MOSFET обладают большим быстродействием, но у них есть один существенный недостаток – большая ёмкость затвора. В документах входная ёмкость затвора обозначается как Ciss (Input Capacitance).

    На что влияет ёмкость затвора? Она в большой степени влияет на определённые свойства полевых транзисторов. Поскольку входная ёмкость достаточно велика, и может достигать десятков пикофарад, применение полевых транзисторов в цепях высокой частоты ограничивается.

    В схемах переключения время заряда паразитной входной ёмкости транзистора влияет на скорость его срабатывания.

    Очень важно при работе с полевыми транзисторами, особенно с изолированным затвором, помнить, что они “смертельно” боятся статического электричества. Впаивать их в схему можно только предварительно закоротив выводы между собой тонкой проволокой.

    При хранении все выводы МОП-транзистора лучше закоротить с помощью обычной алюминиевой фольги. Это уменьшит риск пробоя затвора статическим электричеством. При монтаже его на печатную плату лучше использовать паяльную станцию, а не обычный электрический паяльник.

    Дело в том, что обычный электрический паяльник не имеет защиты от статического электричества и не «развязан» от электросети через трансформатор. На его медном жале всегда присутствуют электромагнитные «наводки» из электросети.

    Любой всплеск напряжения в электросети может повредить паяемый элемент. Поэтому, впаивая полевой транзистор в схему электрическим паяльником, мы рискуем повредить MOSFET-транзистор.

    » Радиоэлектроника для начинающих » Текущая страница

    Также Вам будет интересно узнать:

    • Выпрямительный диодный мост.
    • Биполярный транзистор.

    Источник: https://go-radio.ru/parametri-mosfet-transistorov.html

    Svf4n65f транзистор как проверить

    Полупроводниковые элементы используются практически во всех электронных схемах. Те, кто называют их наиболее важными и самыми распространенными радиодеталями абсолютно правы. Но любые компоненты не вечны, перегрузка по напряжению и току, нарушение температурного режима и другие факторы могут вывести их из строя.

    Расскажем не перегружая теорией , как проверить работоспособность различных типов транзисторов npn, pnp, полярных и составных пользуясь тестером или мультиметром.

    Прежде, чем проверить мультиметром любой элемент на исправность, будь то транзистор, тиристор, конденсатор или резистор, необходимо определить его тип и характеристики.

    Поиск данных по Вашему запросу:

    Схемы, справочники, даташиты:Обсуждения, статьи, мануалы:

    Дождитесь окончания поиска во всех базах.
    По завершению появится ссылка для доступа к найденным материалам

    ПОСМОТРИТЕ ВИДЕО ПО ТЕМЕ: Как проверить биполярный транзистор с помощью тестера.

    aht11 модуль датчик температуры и влажности AMT1001

    Делаем светодиодное освещение на Arduino. Hi Dev! В этом видео я показываю как из китайской светодиодной ленты с AliExpress и Ардуино сделать крутое регулируемое освещение для 5 источников св.. Чип и Дип. Транзисторы PLDG доставлены были в заявленный продавцом срок. В нормальном состоянии, новые, правда с разных партий. Половина с логотипо.. Бобыкин Сергей. Питание тороидный трансформатор w,на каждый.. Антоха Production. Нормальные рабочие высоковольтные ключи Ссылка на товар 10 шт.

    ШИМ управление двигателем или светом Доступная Автоматика. Показываю как подключить мосфет модуль к ESP и управлять при помощи ШИМ сигнала двигателем постоянного тока, на примере компьютерного.. В данном случае возникла необходимость от.. В ролике рассказывается о принципе работы двустороннего преобразователя логического уровня, а также теорию управления высоковольтной.. Как подключить Мосфет к ардуино? Подделка транзисторы mosfet IRF Nikman mar.

    Заказывал эти транзисторы вот тут: ru. Простая и доступная электронная нагрузка своими руками. Сверло из видео pedal-parts. For product reviews please contact email:: pe. Сергей Бобыкин. Простой в изготовлении портативный преобразователь постоянного тока, может использоваться для зарядки конденсаторов, для розжига неон.. Вот ссылка на архив там все, только стаба нет letitbit. Пришёл компьютер с запахом горелого с гнезда DC IN.

    После разборки был обнаружен сгорев.. Полеты на дроне. Очередная Китайская поделка. Регулируемый блок питания на мосфетах. Отличительная особенность малый нагрев транзисторов при нагрузке. Как проверить любой транзистор без тестера? Дешевые транзистор тестеры got. Как проверить биполярный транзистор с помощью тестера. HamRadio Tag.

    Немного о структуре биполярных транзисторов. Стоимость подписки в наш клуб р.

    Китай svd4n65f

    Войти через. Защита Покупателя. Помощь Служба поддержки Споры и жалобы Сообщить о нарушении авторских прав. Экономьте больше в приложении!

    1 шт. LoRa модуль Обратите внимание: Чтобы запустить проблему, которую экран не может отображать, GPIO5, как штырь модуля LoRa, должен быть.

    5 шт. BYT79 BYT79-600

    Источник: https://all-audio.pro/c2/datashiti/svf4n65f-tranzistor-kak-proverit.php

    ЭТО ИНТЕРЕСНО:  Как измерить емкость конденсатора мультиметром
Понравилась статья? Поделиться с друзьями:
220 вольт
Как протянуть кабель в трубе

Закрыть