Что такое интегральная микросхема

Что такое интегральная микросхема

Работа многих современных устройств предполагает использование сложных электрических схем. Сегодня подобные задачи решают с помощью небольших микросхем, которые позволяют значительно уменьшить габариты механизма.

Существует множество видов таких продуктов, отличающихся техническими и физическими характеристиками. Поэтому перед тем, как купить микросхемы в Москве, важно подобрать оптимальные их параметры, которые помогут решать конкретные задачи.

Основные понятия

Интегральная микросхема — это небольшой чип, который включает в себя огромное количество разных радиоэлектрических устройств (транзисторы, диоды и т.д.). Подобные изделия отличаются небольшими габаритами, так как все размеры измеряются в нанометрах.

Микросхемы такого рода применяются сегодня, как вычислительной, так и бытовой технике. С помощью этих изделий можно решать несколько задач:

1. Преобразование электрических сигналов. Очень часто их применяют, когда нужно получить цифровой сигнал из аналоговых частот.
2. Несколько видов обработки. Микросхемы могут не только усиливать сигналы, но и очищать их от посторонних шумов.
3. Решение логических операций. С помощью микрочипов легко организовать любые арифметические действия, которые очень часто применяются в компьютерной технике.

Виды схем

Интегральные микросхемы нашли широкое применение, что привело к появлению большого разнообразия этих продуктов. В зависимости от технологии изготовления данные изделия можно разделить на такие виды:

• полупроводниковые. Основой для микросхемы является специальный кристалл-полупроводник. Очень часто их получают из кремня, германия и других подобных веществ;
• пленочные. Элементам схем придают форму пленки, которые затем соединяются вместе в несколько слоев;
• гибридные. Здесь применяются все ранее описанные виды микрочипов. Это позволяет увеличить эффективность в несколько раз, а также получать устройства для работы в определенных условиях.

Еще одним критерием для классификации микросхем является их способность обработки определенных сигналов. В зависимости от этого их делят на:

• аналоговые. Преобразование потока данных выполняется беспрерывно. Работа их основывается на сложных математических функциях, способных сглаживать сигналы.
• цифровые. Особенностью этих микросхем является то, что на выходе они способны выдавать только 0 или 1, что соответствует отсутствию и наличию тока.
• аналогово-цифровые. Подобные чипы могут работать в двух режимах одновременно, что облегчает разработку многих устройств.

Источник: http://euroelectrica.ru/chto-takoe-integralnaya-mikroshema/

Первая микросхема

Очень рад в подробностях рассказать о своей первой интегральной схеме и поделиться перипетиями этого проекта, которым занимался на протяжении прошлого года. Надеюсь, мой успех вдохновит других и поможет начать революцию в производстве домашних микросхем.

Когда я приступил к этому проекту, то понятия не имел, во что ввязался, но в итоге узнал больше, чем когда-либо думал, о физике, химии, оптике, электронике и многих других областях. Кроме того, мои усилия сопровождались лишь самыми положительными отзывами и поддержкой со всего мира. Искренне благодарен всем, кто мне помогал, давал советы и вдохновлял на этот проект.

Особенно моим удивительным родителям, которые не только всегда поддерживают и поощряют меня как только могут, но и предоставили рабочее место и смирились с затратами на электроэнергию Спасибо! Без дальнейших церемоний представляю первую интегральную схему (ИС), изготовленную литографическим способом в домашних (гаражных) условиях — PMOS-чип двойного дифференциального усилителя Z1.
Я говорю «изготовленную литографическим способом», потому что Джери Эллсуорт изготовила первые транзисторы и логические вентили (с соединениями, тщательно проложенными вручную проводящей эпоксидной смолой) и показала миру, что это возможно. Вдохновленный её работой, я представляю интегральные схемы, созданные масштабируемым, стандартным фотолитографическим процессом. Излишне говорить, что это логический шаг вперёд по сравнению с моим предыдущей работой, где я воспроизвёл полевой транзистор Джери.

Дизайн

Я разработал усилитель Z1, когда искал простой чип для тестирования и настройки своего процесса. Макет сделан в Magic VLSI для процесса PMOS с четырьмя масками (активная/легированная область, подзатворный оксид, контактное окно и верхний металлический слой). У PMOS есть преимущество перед NMOS, если учесть ионные примеси из-за изготовления в гараже.

Маски разработаны с соотношением сторон 16:9 для упрощения проекции.
Макет Magic VLSI
Генерация маски
Активная область
Затвор
Контакт
Металл

Размер затвора приблизительно 175 мкм, хотя на чипе для проверки выполнены элементы размером до 2 мкм.

Каждая секция усилителя (центральная и правая) содержит три транзистора (два для двухтактной схемы с общим катодным сопротивлением и один в качестве источника тока/нагрузочного резистора), что означает в общей сложности шесть транзисторов на ИС. В левой части резисторы, конденсаторы, диоды и другие тестовые элементы, чтобы изучить характеристики техпроцесса.

Каждый узел дифференциальных пар выходит отдельным штифтом на выводной рамке, поэтому его можно изучать, а при необходимости добавить внешнее смещение.

Изготовление

Процесс изготовления состоит из 66 отдельных шагов и занимает примерно 12 часов. Выход достигает 80% для больших элементов, но сильно зависит от количества выпитого кофе в конкретный день.

Я также записал видео на о теории производства микросхем и отдельно об изготовлении МОП-транзисторов.

Кремниевые пластины 50 мм (2″) разбиваются на кристаллы 5,08×3,175 мм (площадь около 16 мм²) волоконным лазером Epilog.

Такой размер кристалла выбран, чтобы он помещался в 24-контактный DIP-корпус Kyocera.

Пластина N-типа 50 мм
Пластина N-типа 50 мм Сначала с пластины снимается нативная окись быстрым погружением в разбавленный фтороводород с последующей интенсивной обработкой травильной смесью «пиранья» (смесь серной кислоты и перекиси водорода), смесью RCA 1 (вода, аммиак, перекись водорода), смесью RCA 2 (вода, соляная кислота, перекись водорода) и повторным погружением во фтороводород.

Защитный окисел термически выращивается в водяном паре окружающего воздуха (влажное оксидирование) до толщины 5000−8000 Å.

Влажное термическое оксидирование
Влажное термическое оксидирование
Трубчатая печь
Оксидированная пластина

Оксидированная пластина готова к формированию рисунка на активной/легированной (Р-типа) области. Фоторезист AZ4210 наносится на вращающуюся примерно на 3000 оборотах в минуту подолжку, формируя плёнку толщиной около 3,5 мкм, которая аккуратно подсушивается при 90°С на электроплитке.

Процесс литографии детально

Маску активной зоны обрабатывает мой фотолитографический степпер Mark IV в ультрафиолете с шагом 365 нм — и структура отрабатывается в растворе гидроксида калия.

Структура резиста
Структура резиста
30-минутная подсушка
Травление активной зоны

После этого структура резиста плотно затвердела и применяется несколько других трюков, чтобы обеспечить хорошее сцепление и химическую стойкость во время следующего вытравливания во фтороводороде, который переносит эту структуру на слой подзатворного оксида и открывает окна к голому кремнию для легирования. Эти регионы позже станут истоком и стоком транзистора.

Частицы замыкают затвор
Легированные кристаллы с вытравленными затворами

После этого производится легирование, то есть введение примесей из твёрдого или жидкого источника. В качестве твёрдого источника применяется диск нитрида бора, размещённый поблизости (менее 2 мм) от пластины в трубчатой печи. Как вариант, можно приготовить жидкостный источник из фосфорной или борной кислоты в воде или растворителе — и провести легирование по стандартному процессу преднанесения/погружения во фтороводород/диффундирования/удаления глазури.

Вышеупомянутые шаги формирования рисунка затем повторяются дважды для подзатворного оксида и контактного слоя. Подзатворный оксид должен быть гораздо тоньше (менее ~750 Å), чем защитный оксид, поэтому зоны между стоком/истоком вытравливаются — и там выращивается более тонкий оксид. Затем, поскольку вся пластина оксидировалась на шаге легирования, нужно вытравить контактные окна, чтобы установить контакт металлического слоя с легированными зонами истока/стока.

Теперь все транзисторы сформированы и готовы к межсоединениям с выходом на выводную рамку. Защитный слой алюминия (400−500 нм) распыляется или термически напыляется на пластину. Альтернативой был бы метод взрывной литографии (lift-off process), когда сначала формируется фоторезист, а затем осаждается металл.

Напылённый металл
Напылённый металл Затем на слое металла формируется рисунок методом фотолитографии и происходит травление в горячей фосфорной кислоте, чтобы завершить изготовление интегральной схемы. Заключительные шаги перед тестированием — это визуальный осмотр и высокотемпературный отжиг алюминия для формирования омических переходов. Микросхема теперь готова для упаковки и тестирования. У меня нет установки микросварки (принимаю пожертвования!), поэтому сейчас процесс тестирования ограничен прощупыванием пластины острым пинцетом или использованием платы flip-chip (трудно выровнять) c подключением к характериографу. Дифференциальный усилитель также эмпирически тестируется в цепи для проверки работоспособности.
Кривая IV
Кривая IV

Кривая FET Ids/Vds от с предыдущего устройства NMOS

Конечно, эти кривые далеки от идеальных (в том числе из-за излишнего сопротивления контактов и других подобных факторов), но я ожидаю улучшения характеристик, если раздобуду установку микросварки. Этим могут частично объясняться и некоторые отличия от кристалла к кристаллу. Скоро я добавлю на эту страницу новые кривые IV, характеристики транзистора и дифференциального усилителя.

Источник: https://habr.com/ru/post/411901/

Интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы часто называют просто интегральными схемами. По определению интегральная схема (ИС) — микроэлектронное изделие (т. е.

изделие с высокой степенью миниатюризации), выполняющее определенную функцию преобразования и обработки сигнала и имеющее высокую плотность упаковки электрически соединенных элементов (или элементов и компонентов) и (или) кристаллов, которое с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации рассматривается как единое целое.

 Элемент интегральной схемы

— часть интегральной схемы, реализующая функцию какого-либо электрорадиоэлемента (резистора, диода, транзистора и т. д.), причем эта часть выполнена нераздельно от других частей и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.

Компонент интегральной схемы в отличие от элемента может быть выделен как самостоятельное изделие с указанной выше точки зрения.

По конструктивно-технологическим признакам интегральные схемы обычно разделяют на:

● полупроводниковые;

● гибридные;

● пленочные.

В полупроводниковой схеме все элементы и межэлементные соединения выполнены в объеме или на поверхности полупроводника. В таких схемах нет компонентов. Это наиболее распространенная разновидность интегральных схем.

Интегральную схему называют гибридной, если она содержит компоненты и (или) отдельные кристаллы полупроводника.

В пленочных интегральных схемах отдельные элементы и межэлементные соединения выполняются на поверхности диэлектрика (обычно используется керамика). При этом применяются различные технологии нанесения пленок из соответствующих материалов.

По функциональным признакам интегральные схемы подразделяют на аналоговые (операционные усилители, источники вторичного электропитания и др.) и цифровые (логические элементы, триггеры и т. п.).

Краткая историческая справка

Первые опыты по созданию полупроводниковых интегральных схем были осуществлены в 1953 г., а промышленное производство интегральных схем началось в 1959 г. В 1966 г. был начат выпуск интегральных схем средней степени интеграции (число элементов в одном кристалле до 1000). В 1969 г. были созданы интегральные схемы большей степени интеграции (большие интегральные схемы, БИС), содержащие до 10000 элементов в одном кристалле.

В 1971 г. были разработаны микропроцессоры, а в 1975 г. — интегральные схемы сверхбольшой степени интеграции (сверхбольшие интегральные схемы, СБИС), содержащие более 10000 элементов в одном кристалле. Полезно отметить, что предельная частота биполярных транзисторов в полупроводниковых интегральных схемах достигает 15 ГГц и более.

К 2000 г. ожидается появление интегральных схем, содержащих до 100 млн МОП транзисторов в одном кристалле (речь идет о цифровых схемах).

Система обозначений. Условное обозначение интегральных микросхем включает в себя основные классификационные признаки.

● Первый элемент — цифра, соответствующая конструктивно-технологической группе. Цифрами 1, 5, 6 и 7 в первом элементе обозначаются полупроводниковые интегральные микросхемы. Гибридным микросхемам присвоены цифры 2, 4 и 8. Пленочные, вакуумные и керамические интегральные микросхемы обозначаются цифрой 3.

● Второй элемент, определяющий порядковый номер разработки серии, состоит из двух (от 00 до 99) или трех (от 000 до 999) цифр.

● Третий элемент, обозначающий подгруппу и вид микросхемы, состоит из двух букв.

● Четвертый элемент, обозначающий порядковый номер разработки микросхемы данной серии, состоит из одной или нескольких цифр.

К этим основным элементам обозначений микросхем могут добавляться и другие классификационные признаки.

Дополнительная буква в начале четырехэлементного обозначения указывает на особенность конструктивного исполнения:

● Р — пластмассовый корпус типа ДИП;

● А — пластмассовый планарный корпус;

● Е — металлополимерный корпус типа ДИП;

● С — стеклокерамический корпус типа ДИП;

● И — стеклокерамический планарный корпус;

● Н — керамический «безвыводной» корпус.

В начале обозначения для микросхем, используемых в условиях широкого применения, приводится буква К.

Серии бескорпусных полупроводниковых микросхем начинаются с цифры 7, а бескорпусные аналоги корпусных микросхем обозначаются буквой Б перед указанием серии.

Через дефис после обозначения указывается цифра, характеризующая модификацию конструктивного исполнения:

● 1 — с гибкими выводами;

● 2 — с ленточными (паучковыми) выводами, в том числе на полиамидном носителе;

● 3 — с жесткими выводами;

● 4 — на общей пластине (неразделенные);

● 5 — разделенные без потери ориентировки (наклеенные на пленку);

● 6 — с контактными площадками без выводов.

Источник: https://pue8.ru/silovaya-elektronika/855-integralnye-mikroskhemy.html

Гост р 57435-2017 микросхемы интегральные. термины и определения, гост р от 04 апреля 2017 года №57435-2017

ГОСТ Р 57435-2017

ОКС 31.200

Дата введения 2017-08-01

Предисловие

1 РАЗРАБОТАН Акционерным обществом «Российский научно-исследовательский институт «Электронстандарт» (АО «РНИИ «Электронстандарт»), Акционерным обществом «Центральное конструкторское бюро «Дейтон» (АО «ЦКБ «Дейтон»), Акционерным обществом «Научно-исследовательский институт микроэлектронной аппаратуры «Прогресс» (АО «НИИМА «Прогресс»)

2 ВНЕСЕН Техническим комитетом по стандартизации ТК 303 «Электронная компонентная база, материалы и оборудование»

3 УТВЕРЖДЕН И ВВЕДЕН В ДЕЙСТВИЕ Приказом Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии от 4 апреля 2017 г. N 248-ст

4 ВВЕДЕН ВПЕРВЫЕ

Правила применения настоящего стандарта установлены в статье 26 Федерального закона от 29 июня 2015 г. N 162-ФЗ «О стандартизации в Российской Федерации».

Информация об изменениях к настоящему стандарту публикуется в ежегодном (по состоянию на 1 января текущего года) информационном указателе «Национальные стандарты», а официальный текст изменений и поправок — в ежемесячном информационном указателе «Национальные стандарты».

В случае пересмотра (замены) или отмены настоящего стандарта соответствующее уведомление будет опубликовано в ближайшем выпуске информационного указателя «Национальные стандарты». Соответствующая информация, уведомление и тексты размещаются также в информационной системе общего пользователя — на официальном сайте Федерального агентства по техническому регулированию и метрологии в сети Интернет (www.gost.ru)

Введение

Установленные в настоящем стандарте термины расположены в систематизированном порядке, отражающем систему понятий в области интегральных микросхем.

Для каждого понятия установлен один стандартизованный термин. Заключенная в круглые скобки часть термина может быть опущена при его использовании. Часть термина вне круглых скобок образует его краткую форму. Краткая форма может быть также представлена аббревиатурой.

Стандартизованные термины набраны полужирным шрифтом, их краткие формы — светлым.

Наличие квадратных скобок в терминологической статье означает, что в нее включены два (три, четыре и т.п.) термина, имеющие общие терминоэлементы.

В алфавитном указателе данные термины размещены отдельно с указанием номера статьи.

В стандарте приведены эквиваленты стандартизованных терминов на английском языке.

1 Область применения

Настоящий стандарт устанавливает термины и определения основных понятий интегральных микросхем.

Термины, установленные настоящим стандартом, применяют во всех видах документации и литературы, входящих в сферу действия работ по стандартизации и (или) использующих результаты этих работ.

Настоящий стандарт предназначен для применения предприятиями, организациями и другими субъектами научной и хозяйственной деятельности независимо от форм собственности и подчинения, а также федеральными органами исполнительной власти Российской Федерации, участвующими в разработке, производстве и применении микросхем в соответствии с действующим законодательством.

2 Термины и определения

1 (интегральная) микросхема: Микроэлектронное изделие, состоящее из совокупности элементов (компонентов), электрически соединенных или не соединенных между собой в объеме и (или) на поверхности подложки (кристалла), и предназначенное для выполнения заданной функции.	integrated circuit
2 элемент (микросхемы): Часть микросхемы, реализующая функцию какого-либо изделия электронной техники, которая выполнена нераздельно от кристалла и не может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.Примечание — К изделиям электронной техники относят полупроводниковые приборы, резисторы, конденсаторы, микроустройства и др.	circuit element
3 компонент (микросхемы): Часть гибридной микросхемы, реализующая заданную функцию какого-либо изделия электронной техники, которая может быть выделена как самостоятельное изделие с точки зрения требований к испытаниям, приемке, поставке и эксплуатации.Примечание — Компоненты могут содержать совокупность элементов или (и) микросхем в бескорпусном исполнении и др.	circuit component
4 кристалл (полупроводниковой микросхемы): Часть полупроводниковой пластины, в объеме и (или) на поверхности которой сформированы элементы полупроводниковой микросхемы, межэлементные соединения и контактные площадки.	die;chip
5 подложка (микросхемы): Несущая конструкция, в объеме или на поверхности которой формируют элементы, межэлементные и межкомпонентные соединения, контактные площадки и монтируют компоненты.

Источник: http://docs.cntd.ru/document/437139217

Интегральные микросхемы от производителей

Высокотехнологичные устройства, которые имеют множество электронных компонентов, заключенных в корпус небольших размеров, и выполняют определенное действие — называют интегральными микросхемами (или попросту интегральными схемами (ИС)). Они могут выполнять либо одну, либо несколько функций.

Перечень наиболее распространенных функций, которые выполняют интегральные микросхемы:

• преобразование сигналов (к примеру, из аналогового в цифровой и обратно);
• обработку поступающих сигналов (усиление звука, его очистка);
• логические действия (вычитание, умножение, сложение и деление сигналов).

Разновидности

Производители выпускают ИС двух видов:

1. Полупроводниковые. Они похожи на кристалл, внутри которого расположены все микросхемы. Изоляция в таких видах схем обеспечивается «p-n» переходом.
2. Гибридные. Их изготавливают по «пленочной» технологии. Представляют собой подложку, на которую в виде «пленки» наносятся разные компоненты (конденсаторы, резисторы и т.д.) и необходимые соединения.

При этом существует много разновидностей интегральных схем, отличающихся по форме (треугольные, прямоугольные, квадратные и т.д.), материалу, из которого изготовлен корпус, в который помещается изделие (металл, пластик, металлокерамика, керамика).

Каждая ИС может иметь от трех до нескольких сотен выводов, в зависимости от своего предназначения.

Достоинства ИС

Появление микросхем позволило значительно снизить трудозатраты на сборку различной аппаратуры, обеспечивая ей длительный срок эксплуатации, при этом удешевляя ее производство. Ведь проще поставить одну микросхему, выполняющую определенный набор функций, чем отдельные дискретные элементы, что значительно снизит количество мест спаек, тем самым повышая качество электронной продукции.

В настоящее время микросхемы производятся на специализированных заводах, которые оснащены современными автоматическими и полуавтоматическими производственными линиями.

Основными преимуществами интегральных микросхем являются:

• надежность;
• высокотехнологичность;
• малогабаритность;
• малый вес.

Также к плюсам ИС можно отнести еще несколько моментов:

1. Массовость выпуска. Многие микросхемы производят большими партиями (например, ИС в домашних звонках, игрушках и т.д.), что позволяет снизить стоимость самого изделия.
2. Помогают сократить процесс разработки нового аппарата, поскольку можно применить уже существующие микросхемы и комплексные решения, которые прошли необходимые испытания.
3. Благодаря использованию интегральных микросхем значительно сокращается число комплектующих изделия.

Компания «DIS Group» осуществляет продажу интегральных микросхем от производителей, являющихся лидерами в мире в данной отрасли:

• ANALOG;
• DEVICES;
• ATMEL;
• TEXAS .INSTRUMENTS;
• XILINX;
• Altera;
• MicrochipTechnology.

Вам достаточно просто (всего лишь) обратиться в нашу компанию любым удобным для Вас способом и наши специалисты в кратчайшие сроки подготовят и сообщат Вам информацию о поставке любой интересующей Вас (продукции) ИС. Мы работаем напрямую с заводами-изготовителями, а значит у нас самые оптимальные цены на изделия.

ANALOG DEVICES — признанный мировой лидер в области производства интегральных микросхем для аналоговой и цифровой обработки сигналов (более 7500 наименований).

Микроконтроллеры, аппаратно и программно совместимые c микроконтроллерами фирмы Intel и новые мощные RISC-микроконтроллеры AVR и ARM; память: микросхемы ПЗУ, однократно программируемые и с электрическим перепрограммированием (Flash ПЗУ) с байтовым или однобитным выходом; микросхемы программируемой логики (ПЛИС), от простейших PAL, содержащих 8 триггеров, до кристаллов высокой степени интеграции (FPGA), содержащих более тысячи триггеров.

Электронные компоненты и технологии: цифровые сигнальные процессоры, микроконтроллеры, измерительные процессоры, микросхемы стандартной логики, системы радиочастотной идентификации TIRIS.

Перепрограммируемые пользователем базовые матричные кристаллы. Перепрограммируемые микросхемы с PAL-архитектурой.

Американская фирма-производитель микросхем программируемой логики.

Американская фирма-производитель микроконтроллеров и перепрограммируемой памяти.

Тайваньская компания, производит знаковые индикаторы с различными типами подсветок, высотой символов и количеством строк, так и разнообразные графические индикаторы, включая индикаторы с управлением по последовательной шине.

Признанный мировой лидер в области производства полупроводниковых компонентов для систем телекоммуникации и связи с высоковольтными барьерами оптоизоляции

Тайваньский производитель и один из ведущих экспортеров электролитических и керамических конденсаторов, SMD-резисторов

Является ведущим производителем светодиодов и светодиодных индикаторов.

Тайванская фирма-производитель светодиодов и индикаторов.

Крупнейший тайваньский производитель жидкокристаллических модулей и панелей широкого применения.

Ведущая норвежская фирма-производитель однокристальных трансиверов диапазонов 400 и 900 МГц.

Сетевое и телекоммуникационное оборудование, средства управления и межсетевого взаимодействия.

Решения для интеграции беспроводной технологии Bluetooth в M2M приложения.

Является одним из крупнейших мировых производителей Machine-to-Machine (M2M) беспроводных модулей.

Это всемирно известный поставщик сетевого оборудования в более 100 странах мира.

Крупная тайваньская компания, известный производитель сетевого оборудования домашнего и промышленного уровня.

Платиновые тонкоплёночные датчики температуры и детекторов газа для широкого круга применения.

Логика, цифровые сигнальные процессоры, память, микроконтроллеры, операционные усилители, компараторы, драйверы, приемники, таймеры.

Мировой лидер в производстве датчиков движения

Разрабатывает и производит специальные датчики и системы для автоматизации.

Источник: https://www.dis.group/products/integralnye-mikroskhemy/

Типы интегральных микросхем

Классификация интегральных микросхем осуществляется на основе различных критериев. За видом обрабатываемого сигнала они разделены на аналоговые, цифровые и аналого-цифровые интегральные микросхемы.

1. Цифровые интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы, которые работают только на нескольких определенных уровнях вместо того, чтобы работать на всех уровнях амплитуды сигнала, называются цифровыми ИС, и они разработаны с использованием множества цифровых логических вентилей, мультиплексоров, триггеров и других электронных компонентов схем. Логические вентили работают с двоичными входными данными или цифровыми входными данными, такими как 0 и 1.

Цифровые ИС часто используются в компьютерах, микропроцессорах, процессорах цифровых сигналов, компьютерных сетях и частотомерах. Существуют различные типы цифровых интегральных схем, такие как микросхемы стандартной логики, программируемые логические интегральные схемы (ПЛИС), микросхемы памяти, интегральные схемы управления питанием.

2. Аналоговые интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы, работающие в непрерывном диапазоне сигналов, называются аналоговыми ИС. В них преобразование и выдача информации осуществляются путем плавного изменения напряжения или тока. Микросхемы с линейной характеристикой (с заданным коэффициентом усиления входного сигнала без искажения) называются линейными АИМС.

Наиболее распространенным типом аналоговых ИМС являются операционные усилители, что похожи на дифференциальные усилители, но обладают очень высоким коэффициентом усиления по напряжению. Они бывают высокоточные, многоканальные, высоковольтные, программируемые, быстродействующие.

Для специализированной обработки сигналов предназначены многоцелевые усилители —эта группа АИМС разделена на силовые, радиочастотные и инструментальные усилители.

3. Аналого-цифровые интегральные микросхемы

Интегральные микросхемы, которые получаются путем объединения аналоговых и цифровых микросхем на одном кристалле, называются аналогово-цифровыми. Эти микросхемы функционируют как цифро-аналоговые преобразователи, аналого-цифровые преобразователи и тактовые ИС.

Интегральные микросхемы найдут свое применение в:

• Часах
• Телевизорах
• ПК
• процессорах
• усилителях
• Устройствах памяти
• Логических устройствах
• Радиочастотных кодерах и декодерах

Компания СЭА предлагает своим клиентам купить интегральные микросхемы в Украине от ведущих производителей электронных компонентов таких как Microchip, STMicroelectronics NV, Texas Instruments и др. У Вас есть возможность заказать интегральные микросхемы оптом и в рознь.

Для того чтобы купить ИС или получить дополнительную информацию обращайтесь в отдел электронных компонентов Компании СЭА по телефону +38 (044) 296-24-00 или присылайте запросы по электронной почте: [email protected].

Источник: https://www.sea.com.ua/elektronnye-komponenty/integralnye-mikroshemy/